| 型号：CSD25303W1015 | 类别：FET - 单 | 制造商：Texas Instruments |
| 封装：6-UFBGA，DSBGA | 描述：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
| 系列 | NexFET™ |
| 制造商 | Texas Instruments |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 58 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 435pF @ 10V |
| 功率_最大 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，DSBGA |
| 供应商设备封装 | 6-DSBGA（1x1.5） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
| 深圳市科思奇电子科技有限公司 | 林小姐/朱先生0755-83245050/82785939 |
| 深圳市合一方科技有限公司 | 陈先生13480301972 |
| 深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳市金芯阳科技有限公司 | 刘生075584505750 |
| 深圳诚思涵科技有限公司 | 朱先生0755-83015506-23947236 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市世品佳电子有限公司 | 销售部0755-/83218466/83200833 |
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